DMN65D8LDW 时间：2025/4/28 9:21:54 阅读：4

DMN65D8LDW 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它适用于多种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。DMN65D8LDW 的封装形式为 SOT23-3L，这种小型封装使其非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：1.9A
　　导通电阻(Rds(on))：0.25Ω（在 Vgs=4.5V 时）
　　总栅极电荷(Qg)：3nC
　　输入电容(Ciss)：120pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

DMN65D8LDW 具有出色的电气性能和可靠性。其主要特点包括：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低功率损耗。
　　2. 高速开关能力，适合高频电路设计。
　　3. 小尺寸 SOT23-3L 封装，节省 PCB 空间。
　　4. 较宽的工作温度范围，能够在恶劣环境下稳定运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　6. 提供卓越的静电放电（ESD）保护能力，增强产品耐用性。

应用

DMN65D8LDW 广泛应用于各种电子设备中，典型应用场景包括：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的开关元件。
　　2. 电池供电设备中的负载开关。
　　3. 手机、平板电脑和其他便携式电子产品中的电源管理。
　　4. 小型电机驱动和控制电路。
　　5. 信号切换和保护电路。
　　6. 通信设备和消费类电子产品的电源解决方案。