MIXA80W1200TED 时间：2025/8/6 5:42:01 阅读：33

MIXA80W1200TED 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的高功率、高电压的碳化硅（SiC）功率模块。该模块设计用于高效率、高频率的电力电子转换应用，例如电动汽车（EV）充电、可再生能源系统、工业电源和电能质量调节设备。MIXA80W1200TED 采用先进的 SiC MOSFET 技术，具有出色的导通和开关性能，能够在高工作温度下保持稳定运行。该模块的封装设计优化了热管理和电气性能，适用于高功率密度和高可靠性要求的应用。

参数

类型：SiC MOSFET 模块
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　最大连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 40mΩ（具体数值取决于驱动电压）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）或类似高功率封装
　　额定功率：高功率应用
　　短路耐受能力：支持
　　热阻（Rth）：低热阻设计，优化散热性能
　　驱动电压：通常为 18V（可支持 15V 至 20V 范围）
　　栅极电荷（Qg）：低栅极电荷，提高开关效率
　　反向恢复特性：无体二极管反向恢复问题（SiC MOSFET 特性）
　　符合标准：RoHS、REACH 等环保标准

特性

MIXA80W1200TED 的主要特性包括其基于碳化硅（SiC）的 MOSFET 技术，这使得该模块在导通电阻和开关损耗方面表现出色。相比传统的硅基 IGBT 模块，MIXA80W1200TED 在高频开关应用中具有更低的开关损耗，从而提高了系统的整体效率。
　　此外，该模块具有出色的热稳定性，能够在高达 +175°C 的结温下正常工作，适合在高温环境下运行。其低热阻封装设计有助于有效散热，延长模块的使用寿命并提高系统的可靠性。
　　模块的封装结构优化了电磁干扰（EMI）性能，减少了寄生电感，从而提高了开关性能。此外，MIXA80W1200TED 支持短路耐受能力，增强了模块在异常工作条件下的鲁棒性。
　　由于 SiC MOSFET 本身不具备传统硅基 MOSFET 或 IGBT 中的体二极管反向恢复特性，因此该模块在桥式电路中可以显著减少反向恢复损耗，进一步提升系统效率，特别是在高频率应用中。
　　最后，MIXA80W1200TED 的设计符合 RoHS 和 REACH 等国际环保标准，适用于全球范围内的工业和汽车应用。

应用

MIXA80W1200TED 主要应用于需要高功率密度、高效率和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括电动汽车充电设备（如直流快充桩）、储能系统、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及工业电源转换设备。
　　在电动汽车领域，MIXA80W1200TED 可用于车载充电器（OBC）和主驱逆变器，帮助提高能效并减少热管理系统的复杂性。
　　在可再生能源系统中，该模块适用于光伏逆变器和风力发电变流器，支持更高的转换效率和更紧凑的设计。
　　此外，MIXA80W1200TED 还可用于数据中心的电源系统、电能质量调节设备（如有源滤波器）以及各种高功率工业设备中。

替代型号

MIXA80W1200TED 可以被以下型号替代或替换：Cree/Wolfspeed 的 CPM2-1200-80SMA、Infineon 的 IMW120R045M1H、STMicroelectronics 的 SCT3045KL、以及 ON Semiconductor 的 NVHL080N120SC1。