时间：2025/8/2 8:46:35
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DMN63D8LV-7 是一款由 Diodes 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于各类电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，以提供较低的导通电阻和较高的效率。其低栅极电荷特性使其适用于高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路等。DMN63D8LV-7 的封装形式为 SOT23，属于小型化表面贴装封装，适用于空间受限的设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流：3 A
最大漏源电压：30 V
最大栅源电压：12 V
导通电阻（RDS(on)）：0.095 Ω（典型值）
栅极电荷：8.3 nC（典型值）
封装类型：SOT23
DMN63D8LV-7 是一款高性能的功率 MOSFET，具有多项显著的技术特点。首先，其导通电阻 RDS(on) 仅为 0.095 Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的最大漏极电流为 3A，最大漏源电压为 30V，适用于中等功率级别的电源管理应用。栅极电荷（Qg）为 8.3nC，这一参数表明该器件可以在高频条件下运行，同时减少开关损耗。
此外，DMN63D8LV-7 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提高了器件的热稳定性和可靠性。其 SOT23 封装不仅节省空间，而且具有良好的热性能，适合高密度电路设计。该器件还具有低阈值电压特性，确保在较低的栅极驱动电压下仍能实现充分导通，适用于电池供电设备和低压控制系统。
DMN63D8LV-7 广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高效电源管理和开关控制的场合。其主要应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路以及各种类型的电源供应器。此外，由于其低导通电阻和高频特性，该器件也常用于 LED 驱动电路和便携式电子设备中的功率控制模块。在汽车电子系统中，DMN63D8LV-7 可用于车身控制模块、车载充电器和电动助力转向系统等应用。
DMN63D8LVT-7, DMN63D8LW-7, DMN63D8LWQ-13
