时间：2025/5/8 20:05:16
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DMN61D9UW-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化的 LFPAK33 封装（也称为 DFN33），具有出色的开关性能和较低的导通电阻，适合用于消费电子、工业控制以及通信设备中的高效功率转换和负载开关应用。
这款 MOSFET 的设计目标是为系统提供更小的占位面积、更高的效率以及更好的热性能，同时满足现代电子产品对紧凑设计的要求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：5.5mΩ
栅极电荷：12nC
总电容：115pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
DMN61D9UW-7 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频 PWM 控制器和 DC-DC 转换器。
3. 提供良好的雪崩能力和 ESD 保护，确保在恶劣环境下的可靠性。
4. 小巧的 LFPAK33 封装，节省 PCB 空间并改善散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 工作温度范围宽广，支持多种极端条件下的应用需求。
DMN61D9UW-7 主要应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. USB Type-C 和 PD（Power Delivery）适配器。
3. DC-DC 转换器与开关模式电源（SMPS）。
4. LED 驱动器及背光控制。
5. 各类电池供电设备中的高效功率管理方案。
6. 工业自动化和电机驱动中的小型化功率模块。
DMN61D9UW-7N, DMN6049LFG-7
