时间：2025/5/8 10:05:47
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DMN61D9UDW-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化的封装设计，适用于高效能开关和负载驱动应用。DMN61D9UDW-7 在低导通电阻和高切换速度方面表现出色，广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
该器件的典型应用场景包括负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动和电池保护电路等。其紧凑的封装形式和优异的电气性能使其成为现代电子设计中的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：4nC
总功耗：810mW
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
DMN61D9UDW-7 提供了多种优越的特性，包括低导通电阻以减少功率损耗，从而提高效率；具备快速开关能力以支持高频操作；同时采用了坚固耐用的设计，能够在恶劣环境下稳定运行。
此外，该器件具有出色的热稳定性，确保在高温条件下仍能保持良好的性能。其封装小巧，便于在空间受限的应用中使用，同时支持表面贴装技术(SMT)，简化了制造流程并提高了生产效率。
DMN61D9UDW-7 的主要应用领域包括但不限于便携式电子产品中的电源管理，例如智能手机和平板电脑的充电电路；计算机及其外设中的负载开关功能；各类通信设备中的信号调节与转换；以及工业自动化系统中的精密控制环节。
它还可以用于汽车电子系统，如信息娱乐单元或雨刷控制系统等需要高效能源利用的地方。总之，这款 MOSFET 凭借其卓越的性能指标和可靠性，成为了众多工程师进行创新设计时的重要组件选择。
DMN61D9UFG-7
