RF1194ATR13 时间：2025/8/16 7:55:57 阅读：2

RF1194ATR13 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）制造的射频（RF）功率晶体管，主要用于高功率射频放大器应用。该器件基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，能够在高频段提供高输出功率和高效率，适用于通信基础设施、广播系统和工业设备等领域。RF1194ATR13采用紧凑的表面贴装封装，便于集成到现代射频系统中。

参数

器件类型：LDMOS射频功率晶体管
　　工作频率：最大至1.0 GHz
　　最大输出功率：约125W（典型值）
　　增益：约18 dB
　　效率：约65%（典型值）
　　工作电压：+28V
　　输入阻抗：50Ω
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

特性

RF1194ATR13具有优异的线性度和高效率，适用于需要高输出功率和稳定性能的应用场景。其LDMOS结构提供了良好的热稳定性和较高的耐用性，能够在高功率条件下保持稳定的输出性能。此外，该器件在宽频率范围内表现出良好的匹配特性，简化了外围电路的设计。该晶体管具有高增益和低失真特性，适合用于需要高质量信号放大的应用，如基站功率放大器、广播发射机和测试设备。其表面贴装封装不仅节省空间，还便于自动化生产和散热管理。RF1194ATR13还具备较高的可靠性，适用于严苛环境下的长时间运行。
　　在热管理方面，RF1194ATR13的封装设计允许其在高功率操作时有效散热，避免因过热导致的性能下降或损坏。此外，该器件支持宽温度范围工作，适合各种户外和工业环境下的应用。其高耐用性和抗干扰能力也使其成为专业通信设备中的理想选择。RF1194ATR13通常与驱动级放大器配合使用，以实现多级放大架构，从而满足不同应用的输出功率需求。

应用

RF1194ATR13广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站（包括4G LTE和部分5G系统）、广播发射机（如FM和TV发射器）、工业加热设备、射频测试设备以及军事和航空航天通信系统。由于其高输出功率和高效率特性，该器件特别适合用于需要大功率放大的高频段应用。此外，该晶体管也可用于高保真音频放大系统和射频能量应用。在通信系统中，RF1194ATR13通常被用作末级功率放大器，以提供足够的射频输出功率，确保信号能够有效地传输至接收端。