时间：2025/12/26 12:47:01
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DMN6069SFGQ-13是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、低功耗应用设计，广泛应用于便携式电子设备、电源管理单元以及负载开关等场景。其小型化的封装形式（如SuperSO8或类似尺寸）使其非常适合空间受限的应用环境。DMN6069SFGQ-13在低栅极电荷和低导通电阻之间实现了良好的平衡，能够在保持高效开关性能的同时降低传导损耗。该MOSFET支持逻辑电平驱动，可直接由常见的3.3V或5V控制器驱动，无需额外的驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。此外，该器件具有良好的热稳定性与可靠性，符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适用于对环境要求较高的工业和消费类电子产品。得益于其优异的电气特性和紧凑的封装，DMN6069SFGQ-13常用于DC-DC转换器、电机驱动、电池供电设备中的电源切换以及热插拔控制等场合。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：20V
连续漏极电流（ID）：4.4A @ 70°C
脉冲漏极电流（IDM）：17.6A
栅源阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 1.5V
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.2A
导通电阻（RDS(on)）：27mΩ @ VGS=2.5V, ID=2.2A
输入电容（Ciss）：385pF @ VDS=10V
反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS=10V
输出电容（Coss）：135pF @ VDS=10V
栅极电荷（Qg）：8.5nC @ VGS=4.5V
功率耗散（Pd）：1.5W @ TA=25°C
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：SOT-363 (SC-88)
安装类型：表面贴装
极性：N-Channel
通道数：1
DMN6069SFGQ-13采用先进的TrenchFET工艺技术，具备出色的开关速度与导通性能。其低栅极电荷（Qg）显著减少了驱动所需的能量，提升了高频开关应用下的整体效率，特别适合用于同步整流或高速开关电源中。同时，较低的输入电容和反向传输电容有助于减少开关过程中的噪声干扰和串扰问题，提高系统的电磁兼容性。该器件的低导通电阻在2.5V至4.5V的栅极驱动电压范围内表现优异，确保即使在低电压操作条件下也能实现较小的功率损耗，这对于电池供电设备延长续航时间至关重要。
此外，该MOSFET具有良好的热性能，其1.5W的功率耗散能力配合小型SOT-363封装，可在有限的空间内提供可靠的散热路径。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使其不仅适用于常规商业级环境，还能在部分工业级温度条件下稳定运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于在感性负载应用中减少反向电流带来的能量损失和电压尖峰。所有这些特性共同作用，使得DMN6069SFGQ-13成为高性能、小尺寸电源管理系统中的理想选择。
DMN6069SFGQ-13主要应用于需要高效率、小体积和低成本解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关或电源路径管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电控制。在DC-DC转换器拓扑结构中，它可用于同步降压或升压电路的下管开关，凭借其低RDS(on)和快速开关特性有效提升转换效率。此外，该器件也适合用于电机驱动模块中的低端开关，控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换。在热插拔控制器设计中，DMN6069SFGQ-13能够作为理想的功率开关元件，实现平稳上电和过流保护功能。其他应用场景还包括LED驱动电路、USB端口电源开关、传感器电源管理以及各类嵌入式控制系统中的信号或功率切换任务。由于其支持逻辑电平驱动且封装小巧，因此在高密度PCB布局中极具优势。
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"DMN6069SF",
"DMP6069SFG-7",
"AO6406",
"FDG6301N",
"FDC6308N"
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