类型: NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）: 30V
　　集电极电流（IC）: 150mA
　　功耗（PD）: 200mW
　　工作温度范围: -55°C至150°C
　　增益带宽积（fT）: 100MHz
　　电流增益（hFE）: 110-800（根据档位不同）

2SC1775AERF晶体管具有多项优异的特性，使其在高频电子电路中表现出色。首先，它具备较高的增益带宽积（fT），达到100MHz，这使得它非常适合用于高频放大和快速开关应用。其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，提供了灵活的增益选择，适用于不同设计需求。此外，该晶体管的集电极-发射极电压（VCEO）为30V，集电极电流为150mA，能够满足中等功率的应用需求。其功耗为200mW，能够在较高频率下保持稳定的工作状态，同时具备良好的热稳定性。该晶体管的封装形式通常为TO-92或类似的小型封装，便于在各种电路中使用。由于其优异的高频特性和可靠性，2SC1775AERF广泛用于射频电路、音频放大器、数字开关电路以及工业控制系统中。
　　另一个重要的特性是其良好的温度稳定性，工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端环境条件下稳定工作。此外，该晶体管具有较低的噪声系数，适合用于高灵敏度的信号放大电路。由于其广泛的应用范围和优异的性能，2SC1775AERF成为电子设计中常用的晶体管之一。

2SC1775AERF晶体管广泛应用于多个电子领域。在射频（RF）电路中，它常用于前置放大器、混频器和振荡器的设计，能够提供稳定的高频信号放大。在音频放大器电路中，它用于前置放大级和驱动级，提供高增益和低噪声的音频信号放大。此外，该晶体管也适用于数字电路中的开关应用，例如逻辑电路、驱动继电器或LED指示灯。在工业控制系统中，2SC1775AERF可用于传感器信号放大和控制电路，提供可靠的工作性能。由于其优异的高频特性，它也常用于无线通信设备、射频识别（RFID）系统和小型无线电发射装置中。此外，在消费类电子产品中，如收音机、音频设备和遥控器中，该晶体管也发挥着重要作用。

2N3904, BC547, 2SC1815