时间：2025/7/5 0:23:15
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DMN6040SVT-7 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 SO-8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种电源管理和负载切换应用。它通常应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：13nC
开关频率：支持高达 1MHz 的开关频率
封装类型：SO-8
DMN6040SVT-7 提供了非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。其小型化的 SO-8 封装使得它非常适合空间受限的设计。
该器件具备出色的热性能和电气性能，可以承受较高的瞬态电压和电流冲击。
此外，DMN6040SVT-7 的快速开关能力使其成为高频开关应用的理想选择，例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
DMN6040SVT-7 广泛应用于需要高效能功率管理的场合，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 负载开关
4. 电池保护电路
5. 电机驱动
6. 各种消费类电子产品中的电源管理模块
DMN6040SHT-7, DMN6040LDT-7
