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DMN6040SVT-7 发布时间 时间:2025/7/5 0:23:15 查看 阅读:17

DMN6040SVT-7 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用 SO-8 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种电源管理和负载切换应用。它通常应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:13nC
  开关频率:支持高达 1MHz 的开关频率
  封装类型:SO-8

特性

DMN6040SVT-7 提供了非常低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率。其小型化的 SO-8 封装使得它非常适合空间受限的设计。
  该器件具备出色的热性能和电气性能,可以承受较高的瞬态电压和电流冲击。
  此外,DMN6040SVT-7 的快速开关能力使其成为高频开关应用的理想选择,例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。

应用

DMN6040SVT-7 广泛应用于需要高效能功率管理的场合,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 负载开关
  4. 电池保护电路
  5. 电机驱动
  6. 各种消费类电子产品中的电源管理模块

替代型号

DMN6040SHT-7, DMN6040LDT-7

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DMN6040SVT-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C44 毫欧 @ 4.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1287pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商设备封装26-TSOT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMN6040SVT-7DITR