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DMN601WK-7 发布时间 时间:2025/5/7 15:56:08 查看 阅读:6

DMN601WK-7 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 MicroTSSOP-8 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于消费电子、工业控制以及通信设备中的电源管理应用。
  DMN601WK-7 的设计使其能够在高频条件下保持高效的性能,并且具备良好的热稳定性和可靠性,能够满足多种应用场景的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:1.2A
  导通电阻:50mΩ
  栅极电荷:9nC
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装类型:MicroTSSOP-8

特性

DMN601WK-7 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可以减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频电路设计。
  3. 提供出色的热稳定性,确保在极端温度条件下也能正常工作。
  4. 微型封装设计,有助于节省 PCB 空间,适合紧凑型产品。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 静电放电 (ESD) 耐受性良好,增强了整体的可靠性。

应用

DMN601WK-7 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC/DC 转换器。
  3. 电池管理与保护电路。
  4. 消费类电子产品如智能手机和平板电脑的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的电机驱动。
  6. 电信设备中的信号切换与控制。
  7. 各种需要高效能功率开关的应用场景。

替代型号

DMN602WFG-7, DMN602WEG-7

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DMN601WK-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMN601WK-7-FDMN601WK-FDITRDMN601WK-FDITR-NDDMN601WK-FTRDMN601WK-FTR-NDDMN601WKDITR