DMN601WK-7 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 MicroTSSOP-8 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于消费电子、工业控制以及通信设备中的电源管理应用。
DMN601WK-7 的设计使其能够在高频条件下保持高效的性能,并且具备良好的热稳定性和可靠性,能够满足多种应用场景的需求。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:1.2A
导通电阻:50mΩ
栅极电荷:9nC
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
封装类型:MicroTSSOP-8
DMN601WK-7 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可以减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,适用于高频电路设计。
3. 提供出色的热稳定性,确保在极端温度条件下也能正常工作。
4. 微型封装设计,有助于节省 PCB 空间,适合紧凑型产品。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 静电放电 (ESD) 耐受性良好,增强了整体的可靠性。
DMN601WK-7 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC/DC 转换器。
3. 电池管理与保护电路。
4. 消费类电子产品如智能手机和平板电脑的负载开关。
5. 工业自动化设备中的电机驱动。
6. 电信设备中的信号切换与控制。
7. 各种需要高效能功率开关的应用场景。
DMN602WFG-7, DMN602WEG-7