DMN601K-7
时间:2023/2/17 16:51:38
阅读:260
制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
概述
制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:60V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:0.3A
功率耗散:350mW
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
封装:Reel
最小工作温度:-65C
StandardPackQty:3000
DMN601K-7资料
更多>
- DMN601K-7
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFF...
- DIODES
-
阅览
- DMN601K-7
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFF...
- DIODES [...
-
阅览
下载
DMN601K-7参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 欧姆 @ 500mA,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
- 功率 - 最大350mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装SOT-23-3
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称DMN601K-7-FDMN601K-FDITRDMN601K-FDITR-NDDMN601K-FTRDMN601K-FTR-ND