时间：2025/7/10 4:24:09
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DMN5L06DMK-7 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型化的封装设计，适用于高效能、低功耗的应用场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中提供卓越的性能表现。它通常被用于电源管理、电机驱动、负载开关等电路中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：3.4A（在Tc=25°C时）
导通电阻Rds(on)：180mΩ（在Vgs=4.5V时）
总功耗Ptot：1.1W（在Ta=25°C时）
封装形式：SOT-23-3
DMN5L06DMK-7 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低导通损耗。
2. 高速开关性能，适合高频工作环境。
3. 小型化封装，有助于节省 PCB 空间。
4. 支持高电流操作能力，确保稳定性。
5. 具有出色的热稳定性，能够适应各种严苛的工作条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
DMN5L06DMK-7 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源及 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 消费类电子产品的负载开关。
3. 便携式设备的电池保护电路。
4. 电机驱动与控制电路。
5. 各种需要高效能功率开关的应用场景。
DMN5L06DML-7, DMN5L06DMK-13
