时间：2025/5/10 8:48:29
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DMN52D0UDM 是一款 N 沣道的功率场效应晶体管 (Power MOSFET)，由 Diodes 公司生产。该器件采用逻辑电平驱动设计，能够在较低的栅极驱动电压下正常工作，非常适合低功耗和高效能的应用场景。其封装形式为 SO-8，具有良好的散热性能和紧凑的设计，适用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
型号：DMN52D0UDM
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：39A
Vgs(th)（栅源开启电压）：1.5V~2.5V
封装：SO-8
工作温度范围：-55℃~175℃
DMN52D0UDM 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，这使其在高电流应用中能够显著减少传导损耗并提高效率。此外，它支持逻辑电平驱动，栅极驱动电压低至 4.5V 即可完全打开，非常适合电池供电设备和便携式电子产品。
该器件还具备快速开关能力，能够有效降低开关损耗，并且拥有较高的雪崩击穿能力和 ESD 防护性能，增强了系统可靠性。
DMN52D0UDM 的小型化封装 SO-8 使得其易于集成到空间受限的电路设计中，同时提供优异的热性能以满足高功率需求。
DMN52D0UDM 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流开关
2. 电机驱动电路中的功率级开关
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关
4. 保护电路中的理想二极管替代方案
5. 工业自动化和通信设备中的功率管理模块
由于其高效的特性和紧凑的封装，该器件也常用于消费类电子产品如笔记本电脑适配器、智能手机快充解决方案等。
DMN52D0UFH, DMN52D0UFG, IRF7843
