时间：2025/5/24 12:18:58
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DMN4468LSS-13-F 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 LFPAK33 封装，适用于低电压和高效率的应用场景。其设计优化了导通电阻和开关性能，能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
该 MOSFET 的主要特点是极低的导通电阻以及快速的开关特性，适合用于消费电子、通信设备及工业控制等领域中的负载开关、同步整流、电机驱动等应用。
型号：DMN4468LSS-13-F
封装：LFPAK33
VDS（漏源极电压）：20V
RDS(on)（导通电阻）：2.2mΩ @ VGS=10V
VGS（栅源极电压）：±20V
ID（连续漏极电流）：23A
fSW（开关频率）：最高支持 MHz 级别
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
功耗：具体取决于应用环境和散热条件
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，仅为 2.2mΩ，有助于减少传导损耗，提高效率。
2. 高电流处理能力，最大 ID 可达 23A，满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能，支持高频操作，适合现代高效电源转换应用。
4. 宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），确保在极端环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适应现代工业要求。
6. 小型化封装（LFPAK33），节省 PCB 空间并简化布局设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
3. 消费类电子产品中的 DC/DC 转换器。
4. 电信和网络设备中的高效电源管理。
5. 电动工具、家用电器和其他便携式设备中的电机驱动电路。
6. 工业自动化控制中的开关元件。
DMN4469LSS-13-F, DMN4470LSS-13-F, PMEG601EP-13
