DMN4034SSS-13-F 时间：2025/12/26 12:09:18 阅读：8

DMN4034SSS-13-F是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关性能的特点。该器件封装在小型SOT-23（SC-70）封装中，适用于空间受限的便携式电子设备。由于其优异的电气特性，DMN4034SSS-13-F广泛应用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及信号切换等场景。该MOSFET设计用于在低电压逻辑控制下实现高效的功率开关功能，能够在?12V的栅源电压下完全导通，支持负电压关断操作，适合用于高边或低边开关应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适合现代电子产品对环境友好型元件的需求。其封装形式便于自动化贴片生产，适合大规模表面贴装工艺，提升了生产效率和产品可靠性。

参数

型号：DMN4034SSS-13-F
　　通道类型：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：?30V
　　最大连续漏极电流（Id）：?500mA
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：?1.0V @ Vds = ?10V, Id = ?250μA
　　导通电阻（Rds(on)）：65mΩ @ Vgs = ?10V；85mΩ @ Vgs = ?4.5V；130mΩ @ Vgs = ?2.5V
　　输入电容（Ciss）：120pF @ Vds = ?10V
　　反向传输电容（Crss）：20pF @ Vds = ?10V
　　开启时间（Ton）：约10ns
　　关断时间（Toff）：约15ns
　　工作温度范围：?55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：?55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-70）

特性

DMN4034SSS-13-F采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备出色的导通性能和开关速度。其低导通电阻在不同栅极驱动电压下均表现出色，尤其在?4.5V和?2.5V等常见逻辑电平下仍能保持较低的Rds(on)，这使得它非常适合用于电池供电系统中的高效能开关应用。该器件的栅极驱动电压兼容3.3V、5V甚至更低的逻辑电平，能够直接由微控制器或数字逻辑电路驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了整体成本。
　　该MOSFET的热稳定性良好，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，结温可达+150°C，确保在恶劣工作条件下依然可靠运行。其小尺寸SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具有良好的散热能力，通过PCB布局优化可进一步提升功率处理能力。此外，该器件具有较低的输入和输出电容，有助于减少开关过程中的动态损耗，提高高频开关效率，适用于DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等需要快速响应的应用场景。
　　DMN4034SSS-13-F还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了器件在实际应用中的鲁棒性。其P沟道结构特别适用于高边开关配置，在电源路径控制中可实现高效的通断控制。同时，该器件的制造过程遵循严格的品质控制标准，保证了批次间的一致性和长期使用的可靠性。对于便携式医疗设备、智能手机外设、可穿戴设备和物联网终端等对尺寸和功耗敏感的产品而言，DMN4034SSS-13-F是一个理想的选择。

应用

DMN4034SSS-13-F常用于各类低功率开关和电源管理电路中。典型应用场景包括便携式电子设备中的电池供电控制、电源路径管理、负载开关和热插拔电路。在移动设备如智能手机和平板电脑中，可用于摄像头模块、传感器模块或无线通信模块的电源启停控制，以降低待机功耗并延长电池寿命。此外，该器件也广泛应用于DC-DC转换器的同步整流或高端驱动电路中，利用其低导通电阻减少能量损耗，提高电源转换效率。
　　在工业和消费类电子产品中，DMN4034SSS-13-F可用于LED驱动电路中的开关控制，实现精确的亮度调节和节能运行。它也可作为通用信号开关，用于音频或数据线路的选择与隔离。由于其支持负电压操作，因此在某些模拟开关或多路复用器电路中也能发挥优势。在嵌入式系统中，该MOSFET可用于微控制器I/O口扩展时的电平切换或驱动继电器、蜂鸣器等小型负载。
　　此外，该器件适用于各种需要小型化和高集成度设计的场合，例如智能家居设备、便携式测量仪器、蓝牙耳机充电仓、USB接口电源控制等。其高可靠性与环保特性也使其满足汽车电子辅助系统（如车载信息娱乐设备）和工业传感器节点的应用需求。