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MT41K128M16JT-125 发布时间 时间:2025/4/27 8:59:21 查看 阅读:4

MT41K128M16JT-125 是由 Micron(美光)生产的一款 DDR3L SDRAM 芯片,主要应用于低功耗需求的嵌入式系统、移动设备以及网络通信设备中。该芯片支持 1.35V 工作电压,具有较低的功耗和较高的数据传输速率,能够满足现代电子设备对性能与能效的双重需求。
  DDR3L 是 DDR3 的一个低电压版本,能够在保持高性能的同时降低能源消耗。这款器件提供了大容量存储能力,并且支持多种关键特性以增强其稳定性和可靠性。

参数

容量:1Gb(128Mb x 16)
  工作电压:1.35V
  数据速率:800MT/s, 1066MT/s, 1333MT/s, 1600MT/s
  封装类型:FBGA 96-ball
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  I/O 标准:SSTL-135
  组织结构:8-bank architecture
  突发长度:4, 8
  CAS 纬度:5, 6, 7, 8, 9, 10

特性

MT41K128M16JT-125 提供了高密度和低功耗的特性,使其非常适合便携式和电池供电的应用场景。
  1. 支持 DDR3L 标准,兼容主流平台。
  2. 使用 FBGA 封装,具备较小的占板面积。
  3. 内置自动刷新和自刷新功能,简化了系统设计。
  4. 配备 DLL(延迟锁定环路),用于优化时序性能。
  5. 具有可配置的 CAS 纬度和突发长度选项,灵活适配不同应用场景。
  6. 支持高级电源管理技术,有助于进一步降低能耗。
  7. 符合 JEDEC 标准,确保广泛的互操作性。
  8. 提供扩展的工作温度范围,适应严苛环境。

应用

MT41K128M16JT-125 广泛应用于需要高性能内存的各类设备中,包括但不限于:
  1. 智能手机和平板电脑等移动设备。
  2. 嵌入式工业计算机。
  3. 网络路由器和交换机。
  4. 数字电视和机顶盒。
  5. 游戏机和其他消费类电子产品。
  6. 物联网 (IoT) 设备和边缘计算节点。
  7. 可穿戴设备和其他低功耗应用领域。

替代型号

MT41K128M16JW-125, MT41K256M16JT-125, MT41K128M16HT-125

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