时间：2025/5/13 13:35:41
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DMN39M1LFVW 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 LFPAK56D 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性。它专为高效能、低功耗应用而设计，适合用于负载开关、DC-DC 转换器、同步整流以及电池保护等电路。
这款 MOSFET 在小型化和高性能方面表现出色，能够满足消费电子、通信设备及工业控制等领域对紧凑型解决方案的需求。
型号：DMN39M1LFVW
封装：LFPAK56D
VDS（漏源极电压）：40V
RDS(on)（导通电阻，典型值@VGS=10V）：2.5mΩ
IDS（连续漏极电流）：38A
VGS(th)（栅极开启电压）：1.8V~2.7V
Qg（总栅极电荷）：9nC
EAS（雪崩能量）：0.5J
f（工作频率）：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃~175℃
DMN39M1LFVW 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高电流承载能力 (38A)，适用于大功率应用。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗并在高频操作中保持高效率。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
5. 小巧的 LFPAK56D 封装，节省 PCB 空间并支持表面贴装技术 (SMT) 生产。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这些特性使 DMN39M1LFVW 成为需要高效能和小尺寸解决方案的应用的理想选择。
DMN39M1LFVW 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 各类 DC-DC 转换器和降压/升压转换器。
3. 同步整流电路以提高电源转换效率。
4. 电池保护系统，如电动工具、笔记本电脑电池组等。
5. 工业电机驱动和控制系统。
6. 汽车电子应用，例如车身控制模块和 LED 驱动。
其卓越的电气特性和紧凑的封装形式使得该器件成为众多高性能应用场合的首选。
DMN39M1LFTW, DMN39M1LFSAE
