时间：2025/10/8 10:46:32
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UCS2W6R8MPD是一款由UnitedSiC（现已被Qorvo收购）生产的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具有卓越的开关性能和高温工作能力，适用于高效率、高频率的电源转换系统。UCS2W6R8MPD的额定电压为650V，平均正向电流为10A，其无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的特性使其在硬开关和软开关拓扑中均能显著降低开关损耗，提高系统整体效率。该器件采用行业标准的TO-247封装，便于散热设计和系统集成，广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源和不间断电源（UPS）等高端电力电子领域。由于其低导通压降和优异的热稳定性，UCS2W6R8MPD能够在高温环境下稳定运行，减少了对复杂散热系统的依赖，有助于缩小系统体积并提升功率密度。
类型：碳化硅肖特基二极管
反向重复电压（VRRM）：650V
平均正向电流（IF(AV)）：10A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：140A
正向电压（VF）：1.75V（典型值，@ IF = 10A, TJ = 25°C）
反向漏电流（IR）：100μA（最大值，@ VR = 650V, TJ = 25°C）
结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-2L
热阻（RθJC）：2.5°C/W（典型值）
反向恢复电荷（Qrr）：0 nC（无反向恢复）
反向恢复时间（trr）：0 ns
UCS2W6R8MPD的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性，实现了传统硅基二极管无法达到的性能水平。首先，该器件具备零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和零反向恢复时间（trr = 0），这意味着在从导通状态切换到截止状态时，不会产生反向恢复电流尖峰，从而极大降低了开关过程中的能量损耗，特别是在高频开关应用中效果尤为显著。这一特性不仅提升了系统效率，还减少了电磁干扰（EMI），简化了滤波电路的设计。
其次，UCS2W6R8MPD具有出色的热性能和高温工作能力。其最大结温可达+175°C，远高于传统硅二极管的150°C限制，使得器件在高温环境下仍能保持稳定运行。同时，较低的热阻（RθJC = 2.5°C/W）确保了热量能够高效地从PN结传导至散热器，提高了系统的热可靠性。此外，碳化硅材料本身具有更高的热导率，进一步增强了器件的散热能力。
再者，该器件的正向导通压降（VF）在10A条件下仅为1.75V左右，相较于同类产品表现出更低的导通损耗。尽管碳化硅二极管的VF通常略高于理想值，但其综合开关与导通损耗仍远低于硅基快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管。这种低损耗特性对于构建高效率电源系统至关重要，尤其是在连续导通模式（CCM）PFC电路中表现突出。
最后，UCS2W6R8MPD采用标准TO-247封装，具备良好的机械强度和电气绝缘性能，易于集成到现有电源模块中，并支持通孔焊接工艺。其高浪涌电流承受能力（IFSM = 140A）也增强了系统应对瞬态过载的能力，提高了整体鲁棒性。
UCS2W6R8MPD广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。其主要应用场景包括：通信电源和服务器电源中的功率因数校正（PFC）级，用于提升整机能效并满足能源之星等能效标准；太阳能光伏逆变器中的续流二极管或升压二极管，利用其零反向恢复特性减少开关损耗，提高逆变器转换效率；电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中的整流与续流环节，适应宽温度范围和高可靠性要求；工业电机驱动和变频器中的续流路径，有效抑制电压尖峰并提升系统动态响应；此外，还适用于不间断电源（UPS）、焊接电源、感应加热和高密度DC-DC转换器等需要高效、高温稳定工作的场合。其卓越的开关性能和热稳定性使其成为替代传统硅基二极管的理想选择，尤其在追求小型化、轻量化和高效率的现代电源设计中具有重要价值。
UC3M10650B
UF3DB10650K
IDH65G65C5
