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DMN3404LQ-7 发布时间 时间:2025/12/23 19:24:56 查看 阅读:20

DMN3404LQ-7是一款由Diodes Incorporated生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用SO-8封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,如DC-DC转换器、负载开关和电池保护电路等。它专为高效能、小尺寸设计而优化,能够显著降低功耗并提高系统效率。

参数

型号:DMN3404LQ-7
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:SO-8
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):4.2A
  导通电阻(Rds(on)):16mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):1.1W
  工作温度范围(Topr):-55°C至150°C

特性

DMN3404LQ-7具备出色的电气性能和可靠性。其低导通电阻能够有效减少传导损耗,从而提高整体系统的效率。同时,由于采用了先进的制程技术,该MOSFET拥有快速的开关速度,可以满足高频应用的需求。
  此外,DMN3404LQ-7在静态和动态条件下均表现出良好的稳定性,能够在严苛的工作环境下保持一致的性能。它的SO-8封装形式提供了优异的散热性能,有助于进一步提升设备的可靠性和寿命。

应用

DMN3404LQ-7广泛应用于各种电子设备中,主要包括:
  1. DC-DC转换器:用于高效能降压或升压转换。
  2. 负载开关:实现对不同负载的有效控制。
  3. 电池保护电路:防止过充、过放以及短路等情况。
  4. 开关模式电源(SMPS):提供稳定的电源输出。
  5. 消费类电子产品中的电源管理模块:如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
  凭借其高性能和小尺寸特点,DMN3404LQ-7成为众多设计工程师的理想选择。

替代型号

DMN3402LQ-7
  DMN3419LQ-7
  DMN3421LQ-7

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DMN3404LQ-7参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.86633卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)3V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)28 毫欧 @ 5.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)16 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)498 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)720mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3