时间：2025/5/21 13:26:47
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DMN3401LVQ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用超小型的 DFN2020-6 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于便携式设备、消费类电子以及需要高效能和小尺寸的应用场景。
该芯片的主要用途包括负载开关、DC-DC 转换器、电池管理电路以及各种电源管理应用等。其出色的性能和紧凑的封装使其成为现代电子设计中的理想选择。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：1.7A
导通电阻（典型值）：45mΩ
栅极电荷：1.8nC
总电容：99pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：DFN2020-6
DMN3401LVQ 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗并提升效率。
2. 高开关速度，适合高频应用。
3. 小巧的 DFN2020-6 封装节省了 PCB 空间，特别适用于空间受限的设计。
4. 较宽的工作温度范围确保了在极端环境下的可靠性。
5. 内置 ESD 保护提高了器件的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
DMN3401LVQ 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备的电源管理。
2. DC-DC 转换器和降压升压转换器。
3. USB 充电器和适配器中的负载开关。
4. 各种电池供电产品的充放电控制。
5. LED 驱动电路。
6. 数据通信设备中的信号切换与隔离。
7. 一般工业及消费类电子中的开关和保护电路。
DMN3401LDTQ, DMN3401SFQ
