时间：2025/5/9 9:04:13
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DMN33D9LV 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑 级增强型 MOSFET。该器件采用微型封装，适合用于空间受限的应用场景。DMN33D9LV 具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种电源管理、信号切换以及负载驱动应用。其工作电压范围为 20V，并且具有出色的电流处理能力。
最大漏源电压(VDS)：20V
最大栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：6.4A
导通电阻(RDS(on))：75mΩ（典型值，在 VGS=4.5V 下）
栅极电荷(Qg)：12nC（典型值）
总功耗(Ptot)：1.2W
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
DMN33D9LV 的主要特点是低导通电阻 RDS(on)，这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该器件支持高开关频率，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等应用。它的微型 SOT-23 封装使其成为需要紧凑设计场合的理想选择。
该 MOSFET 的逻辑电平驱动功能使得其可以直接与微控制器或数字逻辑电路配合使用，无需额外的栅极驱动电路。同时，它还具备良好的热稳定性和可靠性，能够适应各种严苛的工作环境。
DMN33D9LV 广泛应用于消费电子、工业控制及通信领域。具体应用包括但不限于：
- 开关电源(SMPS)中的同步整流
- 移动设备中的负载开关
- USB 充电器保护电路
- LED 驱动电路
- 电机驱动及小型继电器控制
- 电池管理系统中的开关元件
DMN2997UF, BSS138, FDN338N
