时间：2025/5/12 12:16:38
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DMN32D2LFB4 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT-23 封装，适用于对空间要求较高的应用场合。其低导通电阻和高开关速度特性使其成为消费电子、通信设备和工业控制等领域的理想选择。
该器件的最大漏源电压为 30V，能够提供高达 5.1A 的连续漏极电流（在特定结温条件下）。同时，它具有非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：5.1A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：7nC（典型值）
输入电容：115pF（典型值）
总功耗：560mW（Tc=25°C）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
1. 超低导通电阻：DMN32D2LFB4 在 Vgs=10V 时的导通电阻仅为 85mΩ，显著降低了导通损耗，提升了整体效率。
2. 高电流能力：在 Tc=25°C 条件下，该器件支持高达 5.1A 的连续漏极电流，满足多种功率转换需求。
3. 快速开关性能：由于其较低的栅极电荷和输入电容，DMN32D2LFB4 可以实现快速的开关切换，减少了开关损耗。
4. 紧凑封装：采用 SOT-23 封装，体积小巧，适合用于 PCB 空间有限的应用场景。
5. 宽工作温度范围：支持 -55°C 至 +150°C 的结温范围，确保了器件在极端环境下的可靠运行。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器
2. DC-DC 转换器
3. 电池保护电路
4. 电机驱动控制
5. 负载开关
6. 消费类电子产品中的功率管理模块
7. 工业控制系统中的信号切换
DMN299DUJE-13、BSS138、AO3400
