时间：2025/4/28 9:19:36
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DMN3270UVT是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET563）封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能电源管理应用。其优化的设计使其在空间受限的应用中表现出色，同时确保了高效的电流传输和较低的功率损耗。
DMN3270UVT的漏源极电压（Vds）为30V，连续漏极电流（Id）可达2.9A，且其栅极阈值电压（Vgs(th)）较低，能够有效支持逻辑电平驱动场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：180mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：3nC（典型值）
总电容：10pF（典型值）
工作结温范围：-55°C至150°C
封装类型：Micro-7（SOT563）
DMN3270UVT具备以下显著特性：
1. 低导通电阻设计有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 小型化的Micro-7封装非常适合对尺寸敏感的应用，例如便携式设备。
3. 快速开关性能使其能够在高频电路中保持高效率。
4. 较宽的工作温度范围确保其能在极端环境条件下可靠运行。
5. 低栅极电荷有助于降低驱动功耗，从而提升整体效能。
6. 支持逻辑电平驱动，简化了电路设计并降低了复杂度。
DMN3270UVT适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器或负载开关。
2. 便携式消费类电子产品中的电池管理与保护电路。
3. 固态继电器和信号切换。
4. 电机驱动和音频放大器中的功率级控制。
5. 电信和数据通信系统中的负载切换和保护。
6. 汽车电子中的辅助功能控制及小型化解决方案。
这款器件凭借其高性能指标和紧凑封装，成为众多应用的理想选择。
DMN3030UVT, DMN2998UFQ
