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5AGXBB3D4F35I5G 发布时间 时间:2025/5/13 14:11:24 查看 阅读:1

5AGXBB3D4F35I5G 是一款高性能的射频功率晶体管,主要应用于高频放大器和无线通信设备。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有高增益、高效率和良好的线性度特点,适合于工作在高频段的各种射频功率应用。其封装形式通常为气密封装或表面贴装,确保了长期稳定性和可靠性。

参数

最大功率:50W
  频率范围:30MHz 至 350MHz
  增益:12dB
  工作电压:13.8V
  电流消耗:典型值 4A
  封装形式:TO-277A
  结温范围:-40℃ 至 +150℃

特性

这款射频功率晶体管具有以下显著特点:
  1. 高输出功率和高效率,适用于多种射频功率放大场景。
  2. 在整个工作频率范围内保持稳定的性能。
  3. 内部集成保护电路,有效防止过热、过压等异常情况对器件的损害。
  4. 封装设计优化,提高了散热性能和机械强度。
  5. 良好的线性度,减少了失真和干扰信号的产生。
  6. 具备较高的可靠性和稳定性,适应恶劣的工作环境。

应用

5AGXBB3D4F35I5G 广泛用于射频功率放大领域,包括但不限于:
  1. 业余无线电发射机中的末级功率放大器。
  2. 商用和军用通信设备中的功率放大模块。
  3. 测试与测量设备中的信号源功率放大。
  4. 短波广播系统及移动通信基站中的功率放大单元。
  5. 工业、科学和医疗(ISM)频段设备的射频功率驱动部分。

替代型号

5AGXB3D4F35I5G, 5AGXBB3D4F35I5

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