5AGXBB3D4F35I5G 是一款高性能的射频功率晶体管,主要应用于高频放大器和无线通信设备。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有高增益、高效率和良好的线性度特点,适合于工作在高频段的各种射频功率应用。其封装形式通常为气密封装或表面贴装,确保了长期稳定性和可靠性。
最大功率:50W
频率范围:30MHz 至 350MHz
增益:12dB
工作电压:13.8V
电流消耗:典型值 4A
封装形式:TO-277A
结温范围:-40℃ 至 +150℃
这款射频功率晶体管具有以下显著特点:
1. 高输出功率和高效率,适用于多种射频功率放大场景。
2. 在整个工作频率范围内保持稳定的性能。
3. 内部集成保护电路,有效防止过热、过压等异常情况对器件的损害。
4. 封装设计优化,提高了散热性能和机械强度。
5. 良好的线性度,减少了失真和干扰信号的产生。
6. 具备较高的可靠性和稳定性,适应恶劣的工作环境。
5AGXBB3D4F35I5G 广泛用于射频功率放大领域,包括但不限于:
1. 业余无线电发射机中的末级功率放大器。
2. 商用和军用通信设备中的功率放大模块。
3. 测试与测量设备中的信号源功率放大。
4. 短波广播系统及移动通信基站中的功率放大单元。
5. 工业、科学和医疗(ISM)频段设备的射频功率驱动部分。
5AGXB3D4F35I5G, 5AGXBB3D4F35I5