S21MD3T是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低功耗。
其封装形式通常为TO-220或TO-247,具有良好的散热性能,适用于高功率密度的应用场景。
型号:S21MD3T
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss):650V
最大栅极源极电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):0.08Ω(在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):200W
工作温度范围(Ta):-55°C至+150°C
封装形式:TO-220/TO-247
S21MD3T的主要特点是低导通电阻和出色的热性能,这使得它能够在高电流条件下保持较低的功耗。此外,它的快速开关速度可以减少开关损耗,从而提升整体效率。
该器件还具备较高的雪崩能量承受能力,能够在异常情况下提供额外的保护功能。其优化的栅极电荷设计有助于降低驱动损耗,并支持高频应用。
S21MD3T的稳健设计使其非常适合于恶劣环境下的应用,例如工业设备和汽车电子领域。同时,其封装形式支持表面贴装和通孔安装,提供了更大的灵活性。
S21MD3T主要应用于需要高效功率转换和控制的场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),用于实现高效的直流-直流或交流-直流转换。
2. 电机驱动,适用于各类无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制系统。
3. 逆变器,特别是在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中发挥关键作用。
4. 电动车充电设备,支持快速充电和高功率处理需求。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块,如可编程逻辑控制器(PLC)和伺服驱动器。
由于其宽泛的工作电压和电流范围,S21MD3T也适用于多种定制化设计场景。
S21MD4T, IRFP260N, STP30NF65