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S21MD3T 发布时间 时间:2025/5/29 10:03:39 查看 阅读:14

S21MD3T是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  其封装形式通常为TO-220或TO-247,具有良好的散热性能,适用于高功率密度的应用场景。

参数

型号:S21MD3T
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):650V
  最大栅极源极电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):0.08Ω(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):200W
  工作温度范围(Ta):-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220/TO-247

特性

S21MD3T的主要特点是低导通电阻和出色的热性能,这使得它能够在高电流条件下保持较低的功耗。此外,它的快速开关速度可以减少开关损耗,从而提升整体效率。
  该器件还具备较高的雪崩能量承受能力,能够在异常情况下提供额外的保护功能。其优化的栅极电荷设计有助于降低驱动损耗,并支持高频应用。
  S21MD3T的稳健设计使其非常适合于恶劣环境下的应用,例如工业设备和汽车电子领域。同时,其封装形式支持表面贴装和通孔安装,提供了更大的灵活性。

应用

S21MD3T主要应用于需要高效功率转换和控制的场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),用于实现高效的直流-直流或交流-直流转换。
  2. 电机驱动,适用于各类无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制系统。
  3. 逆变器,特别是在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中发挥关键作用。
  4. 电动车充电设备,支持快速充电和高功率处理需求。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块,如可编程逻辑控制器(PLC)和伺服驱动器。
  由于其宽泛的工作电压和电流范围,S21MD3T也适用于多种定制化设计场景。

替代型号

S21MD4T, IRFP260N, STP30NF65

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