DMN3200U是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET,采用DFN1010-4封装形式。该器件适用于低电压和高效率应用场合,具有极低的导通电阻(Rds(on))和快速开关性能。它常用于负载开关、同步整流器、DC-DC转换器以及其他便携式电子设备中。这款MOSFET以其紧凑型设计和出色的电气特性而著称,非常适合空间受限的应用场景。
DMN3200U通过优化的制造工艺实现了低导通损耗,同时保持了良好的热稳定性和可靠性。其工作电压范围为0至20V,可满足多种电源管理需求。
最大漏源电压:20V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:2.9A
导通电阻(Rds(on)):25mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
总功耗:670mW
结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:DFN1010-4
DMN3200U的主要特性包括超低导通电阻以减少功率损耗,提高系统效率;具备快速开关速度,能够有效降低开关损耗;采用了先进的DFN1010-4小型化封装,有助于节省PCB空间;拥有较高的雪崩耐量和热稳定性,保证在严苛条件下的可靠运行;支持大电流操作,增强了器件的灵活性和适用性。
此外,该MOSFET还具有低输入电容和输出电容,从而进一步优化了动态性能。这些特点使得DMN3200U成为众多高效能、小尺寸应用的理想选择。
DMN3200U广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域。具体应用包括但不限于:
1. 负载开关 - 用于保护电路免受过流或短路的影响。
2. 同步整流 - 提高电源转换效率。
3. DC-DC转换器 - 在降压或升压变换中提供高效的开关功能。
4. 电池管理系统 - 控制电池充放电过程中的电流流动。
5. 移动设备电源管理 - 如智能手机、平板电脑等内部的电源分配网络。
6. 固态照明驱动 - 驱动LED灯串以实现调光和其他控制功能。
DMN2990U, DMN2989U