时间：2025/5/22 19:20:50
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DMN31D5UDJ 是一款 N 沃特 DMOS 场效应晶体管（MOSFET），采用微型 SOT23-6 封装形式。该器件属于 PowerTrench 技术系列，具有低导通电阻和高开关速度的特点。DMN31D5UDJ 适用于各种高效能电源管理应用，如负载开关、DC-DC 转换器、电池保护电路以及便携式电子设备的功率转换。
其设计目标是为工程师提供一种在小体积下实现高性能的解决方案，同时保证了良好的热性能和电气稳定性。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
总电荷量（Qg）：10nC
输入电容（Ciss）：420pF
输出电容（Coss）：45pF
封装类型：SOT23-6
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMN31D5UDJ 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 小型化封装，节省 PCB 布局空间。
4. 出色的热稳定性和可靠性，能够适应恶劣的工作环境。
5. 支持大电流操作，满足现代电子设备对功率的需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 提供了宽广的工作温度范围，确保在极端条件下的正常运行。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
2. 笔记本电脑及外设的负载开关控制。
3. DC-DC 转换器和 POL（Point-of-Load）调节器。
4. 电池管理系统，例如过流保护和短路保护。
5. 工业自动化设备中的小型化驱动电路。
6. 消费类电子产品中的音频放大器和电机驱动。
由于其出色的性能和紧凑的外形，DMN31D5UDJ 成为众多高效能应用的理想选择。
DMN3027USM, DMN2998UFG
