时间：2025/5/7 19:00:41
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TMK107B7474KA-TR 是一款高性能的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要应用于功率转换和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够显著提高系统的效率和可靠性。其封装形式为 TO-252(DPAK)，适合表面贴装技术（SMT），从而满足现代电子设备小型化和高效化的需求。
该 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等应用场合，尤其适用于需要高效率和低功耗的场景。
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大漏极电流(ID)：38A
导通电阻(RDS(on))：2.9mΩ（典型值，VGS=10V时）
栅极电荷(Qg)：15nC
总功耗(Ptot)：110W
工作温度范围(TJ)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252(DPAK)
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能力和鲁棒性，能够在异常条件下提供额外保护。
3. 快速开关速度，减少开关损耗并提升高频性能。
4. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代化设计中。
5. 表面贴装封装，简化了 PCB 设计和生产流程。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动和控制电路中的功率开关。
4. 负载开关和保护电路中的高效切换元件。
5. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理模块。
IRF7752PbF, AO6602, FDP068N06L
