型号：DMN3190LDW-13
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-600mA
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-1.2A
　　导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-4.5V：35mΩ
　　导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-2.5V：50mΩ
　　栅极阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容(Ciss)：约70pF @ VDS = 10V, f = 1MHz
　　开启延迟时间(td_on)：约5ns
　　关闭延迟时间(td_off)：约10ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-323 (SC-70)
　　安装类型：表面贴装(SMT)

DMN3190LDW-13的显著特性之一是其超低导通电阻，在VGS = -4.5V时典型值仅为35mΩ，这使得在小电流负载下功率损耗极低，提高了系统的整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长续航时间并减少发热。此外，该器件在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下仍能保持良好的导通性能（RDS(on) ≤ 50mΩ），使其兼容3.3V甚至更低电压的逻辑控制系统，无需额外的电平转换电路。
　　另一个关键优势是其紧凑的SC-70封装，尺寸仅约2mm x 1.25mm，非常适合空间受限的高集成度PCB设计。这种小型化特性在现代便携式电子产品中至关重要，例如TWS耳机、智能手表和微型传感器模块。同时，该封装具有良好的热传导性能，结合芯片本身的低功耗特性，可在不使用散热器的情况下安全运行。
　　DMN3190LDW-13还具备优秀的开关速度，输入电容低至约70pF，配合快速的开启与关断延迟时间（分别为5ns和10ns左右），使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器中的同步整流或负载切换。其栅极阈值电压范围合理（-0.8V至-1.5V），确保了器件在不同工作条件下的稳定触发，避免误开通或关断。
　　该器件符合AEC-Q101可靠性标准的部分要求，具备高抗噪能力和稳健的ESD保护（HBM > 2kV），增强了在复杂电磁环境下的运行稳定性。此外，产品采用无卤素材料和绿色封装工艺，满足现代电子产品对环保法规的要求。总体而言，DMN3190LDW-13是一款集高性能、小尺寸、低功耗和高可靠性于一体的P沟道MOSFET，特别适合用于现代低电压、便携式和高密度电子系统中的电源开关与控制功能。

DMN3190LDW-13广泛应用于各类低电压便携式电子设备中，主要用于电源管理与信号切换场景。典型应用包括移动设备中的电池供电路径控制，例如智能手机和平板电脑中的背光驱动、摄像头模块供电开关或外设电源隔离，通过MOSFET实现按需上电以降低待机功耗。此外，它也常用于负载开关电路，配合控制器对不同子系统进行软启动和浪涌电流限制，提高系统稳定性。
　　在嵌入式系统和物联网节点中，该器件可用于微控制器I/O口扩展后的高边驱动，控制传感器、LED指示灯或其他外围设备的通断。由于其支持逻辑电平直接驱动，无需额外驱动器，简化了电路设计。在DC-DC降压变换器中，DMN3190LDW-13可作为同步整流管使用，提升转换效率，尤其是在轻载条件下表现优异。
　　其他应用场景还包括USB端口的过流保护开关、SD卡或SIM卡插槽的电源控制、可穿戴设备中的动态电源管理单元，以及各种需要小型化和低静态功耗的消费类电子产品。其高可靠性和符合环保标准的特点也使其适用于工业级传感器模块和医疗便携仪器等领域。

DMG2301U-7
　　AO3415
　　FDC630P