DMN313DLT是一款由Diodes公司生产的MOSFET功率晶体管,采用DFN5060-2L封装形式。该器件属于逻辑电平增强型N沟道MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适用于高效能的电源管理应用。其主要用途包括负载开关、同步整流器、DC-DC转换器以及电池供电设备等场景。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:8.9A
导通电阻:1.5mΩ
栅极阈值电压:1.5V
总功耗:1.7W
工作温度范围:-55℃至150℃
封装类型:DFN5060-2L
DMN313DLT拥有非常低的导通电阻(仅1.5mΩ),能够有效降低功率损耗并提升效率。此外,它支持低至1.5V的栅极驱动电压,非常适合便携式电子设备中的低压操作环境。
该器件还具备出色的热稳定性和高开关速度,这使其成为高频应用的理想选择。同时,紧凑的DFN5060-2L封装有助于节省PCB空间,满足现代电子产品对小型化设计的需求。
DMN313DLT符合RoHS标准,确保环保性能。
DMN313DLT广泛应用于各种需要高效功率转换和开关功能的领域,例如:
- 消费类电子产品中的负载开关
- 移动设备和便携式装置中的电源管理模块
- 同步整流电路
- 降压或升压型DC-DC转换器
- 开关模式电源(SMPS)中的关键组件
- 电池保护与管理系统
由于其卓越的电气特性和小型化封装,这款MOSFET特别适合用于要求高性能和高集成度的设计中。
DMN299LUT, DMN3023LDT, BSC016N04LS G