DMN313DLT 时间：2025/6/4 10:21:51 阅读：7

DMN313DLT是一款由Diodes公司生产的MOSFET功率晶体管，采用DFN5060-2L封装形式。该器件属于逻辑电平增强型N沟道MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于高效能的电源管理应用。其主要用途包括负载开关、同步整流器、DC-DC转换器以及电池供电设备等场景。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：8.9A
　　导通电阻：1.5mΩ
　　栅极阈值电压：1.5V
　　总功耗：1.7W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：DFN5060-2L

特性

DMN313DLT拥有非常低的导通电阻（仅1.5mΩ），能够有效降低功率损耗并提升效率。此外，它支持低至1.5V的栅极驱动电压，非常适合便携式电子设备中的低压操作环境。
　　该器件还具备出色的热稳定性和高开关速度，这使其成为高频应用的理想选择。同时，紧凑的DFN5060-2L封装有助于节省PCB空间，满足现代电子产品对小型化设计的需求。
　　DMN313DLT符合RoHS标准，确保环保性能。

应用

DMN313DLT广泛应用于各种需要高效功率转换和开关功能的领域，例如：
　　- 消费类电子产品中的负载开关
　　- 移动设备和便携式装置中的电源管理模块
　　- 同步整流电路
　　- 降压或升压型DC-DC转换器
　　- 开关模式电源（SMPS）中的关键组件
　　- 电池保护与管理系统
　　由于其卓越的电气特性和小型化封装，这款MOSFET特别适合用于要求高性能和高集成度的设计中。