时间：2025/12/28 14:54:51
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KMB035N40DA-RTF/P 是一款由KEMET公司推出的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管（FET）。这款器件主要设计用于需要高效率和高性能的电源管理系统，例如DC-DC转换器、电机控制和负载开关应用。KMB035N40DA-RTF/P具有低导通电阻（RDS(on)）的特点，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用TO-252（DPAK）封装形式，适用于表面贴装技术（SMT），便于在各种电子电路中集成。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：110A（最大）
导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ（最大）
功耗（PD）：250W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
KMB035N40DA-RTF/P 具有多个关键特性，使其在高性能功率应用中表现优异。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率并减少热量产生。其次，该器件的漏源电压（VDS）为40V，能够应对中高功率系统的电压需求。栅源电压（VGS）范围为±20V，提供了较大的栅极驱动灵活性，适用于多种控制电路。漏极电流（ID）高达110A，使其能够支持大电流负载，满足高功率需求。
KMB035N40DA-RTF/P 还具有出色的热稳定性，其工作温度范围为-55°C至175°C，能够在极端环境条件下保持稳定运行。此外，该器件的功耗（PD）为250W，表明其具有较强的散热能力，适合长时间高负载运行的应用场景。采用TO-252（DPAK）封装，KMB035N40DA-RTF/P不仅体积小巧，还支持表面贴装技术（SMT），提高了电路板设计的灵活性和装配效率。
KMB035N40DA-RTF/P 主要应用于需要高效能功率管理的领域。例如，在DC-DC转换器中，该器件的低导通电阻和高电流能力使其成为理想的开关元件，有助于提高转换效率并减少能量损失。在电机控制电路中，KMB035N40DA-RTF/P能够驱动高功率电机，提供稳定的电流输出并减少过热风险。此外，该器件还广泛用于负载开关应用，例如电源管理系统中的开关控制，能够快速响应电流变化并保护电路免受过载损害。
其他可能的应用包括电池管理系统、电源适配器、电动工具、电动汽车充电设备以及工业自动化控制系统等。由于其高可靠性和宽温度范围，KMB035N40DA-RTF/P也适用于恶劣环境下的工业和汽车电子应用。
Si4410DY-T1-GE3, IRF1405PBF, FDP047N10A, IPB037N04LC G
