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DMN3070SSN-7 发布时间 时间:2025/12/24 9:44:05 查看 阅读:14

DMN3070SSN-7 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT23-6L 封装,非常适合在空间受限的应用中使用。DMN3070SSN-7 的低导通电阻(Rds(on))特性使其成为高效电源管理的理想选择,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
  其设计重点在于提供高效率和出色的开关性能,同时具备较低的栅极电荷和快速的开关速度。DMN3070SSN-7 支持高达 30V 的工作电压,并且具有非常低的导通电阻(典型值为 0.07Ω),从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):7A
  导通电阻(Rds(on)):0.07Ω(典型值,Vgs=4.5V)
  栅极电荷(Qg):3nC
  总电容(Ciss):15pF
  封装形式:SOT23-6L
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

DMN3070SSN-7 的主要特性包括:
  1. 高效的低导通电阻(Rds(on)):在 Vgs = 4.5V 条件下,典型 Rds(on) 值仅为 0.07Ω,能够显著减少导通损耗。
  2. 快速开关能力:由于其低栅极电荷 (Qg),DMN3070SSN-7 能够实现快速的开关切换,适用于高频应用。
  3. 小型化封装:SOT23-6L 封装使其适合用于紧凑型设计,尤其在便携式设备中表现出色。
  4. 宽工作电压范围:支持最高 30V 的漏源电压,满足多种应用场景的需求。
  5. 强大的耐热性能:能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温范围内稳定运行,适应恶劣环境下的使用要求。
  6. 符合 RoHS 标准:环保材料确保产品符合国际环保法规。

应用

DMN3070SSN-7 可应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器或负载开关。
  2. 移动设备和消费类电子产品中的负载切换。
  3. LED 驱动电路中的开关元件。
  4. 工业控制系统的驱动级放大器。
  5. 电池管理系统中的保护电路。
  6. 数据通信设备中的信号路径切换。
  由于其高性能和小尺寸,DMN3070SSN-7 成为众多便携式设备和高密度设计的理想选择。

替代型号

以下是 DMN3070SSN-7 的一些可能替代型号:
  1. BSS138:另一款常见的 N 沟道 MOSFET,但其导通电阻略高,适合对成本敏感的设计。
  2. AO3400:来自 Alpha & Omega 的类似产品,具有类似的导通电阻和封装形式。
  3. FDN337N:Fairchild 半导体的一款产品,具有相似的电气特性和封装类型。
  4. NTMFS4835N:ON Semiconductor 提供的同类产品,具有更低的导通电阻,适用于更高性能需求的应用。
  请注意,在选择替代型号时需仔细核对关键参数,以确保其完全满足具体应用需求。

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DMN3070SSN-7参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.18000剪切带(CT)3,000 : ¥0.90491卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 4.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)697 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)780mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SC-59-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3