时间：2025/4/28 19:55:30
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DMN3051L-7 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沟道逻辑增强型 MOSFET。该器件采用超小型 SOT563 封装，适用于需要高效率和小尺寸的应用场景。DMN3051L-7 的低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关性能使其非常适合用于负载开关、DC/DC 转换器、电池供电设备以及便携式电子产品的功率管理。
该器件的工作电压范围为 2.8V 至 20V，并具有极低的导通电阻以减少功率损耗，从而提高整体系统效率。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏电流：2.9A
导通电阻（典型值，Vgs=4.5V）：30mΩ
导通电阻（最大值，Vgs=4.5V）：45mΩ
栅极电荷：2.6nC
总功耗（Ta=25℃）：170mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMN3051L-7 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=4.5V 时仅为 30mΩ（典型值），可有效降低传导损耗。
2. 快速开关能力，得益于其低栅极电荷特性，能够减少开关损耗并提升工作效率。
3. 小型化封装（SOT563），节省 PCB 空间，适合空间受限的设计。
4. 高可靠性，支持宽工作温度范围（-55℃ 至 +150℃）。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
DMN3051L-7 适用于多种功率管理场景，包括但不限于以下应用：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. DC/DC 转换器及同步整流电路。
3. 电池管理系统中的保护开关。
4. USB 充电器和接口保护电路。
5. 各类低功率消费类电子产品中的功率控制。
6. 可穿戴设备和其他对尺寸敏感的产品。
DMN3059U-7, DMN3029L-7
