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CBR06C969BAGAC 发布时间 时间:2025/7/3 12:04:57 查看 阅读:5

CBR06C969BAGAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片,专为高频率和高效率的应用场景设计。该芯片内置了增强型 GaN 场效应晶体管 (eGaN FET),具有极低的导通电阻和快速的开关性能,适用于高频 DC-DC 转换器、电源适配器以及各类消费电子产品的电源管理系统。
  相比传统的硅基 MOSFET,CBR06C969BAGAC 提供了更高的功率密度和更小的体积,能够显著提升系统的整体效率。

参数

额定电压:600V
  连续漏极电流:9A
  导通电阻:65mΩ
  栅极电荷:12nC
  输入电容:1800pF
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:LFPAK8

特性

CBR06C969BAGAC 的主要特点是其卓越的电气性能和紧凑的设计:
  1. 高击穿电压:高达 600V 的额定电压使其能够适应各种高压应用场景。
  2. 极低导通电阻:仅为 65mΩ,大幅减少了导通损耗。
  3. 快速开关速度:得益于 GaN 材料的优异性能,该器件具备非常低的栅极电荷和输出电荷,支持 MHz 级别的开关频率。
  4. 小型化设计:采用 LFPAK8 封装,体积小巧,便于在紧凑型电路板上集成。
  5. 高效散热能力:优化的封装结构提高了芯片的散热性能,从而增强了长期运行的可靠性。
  6. 宽温工作范围:能够在 -40°C 至 +125°C 的环境下稳定运行,适合工业级和消费级应用。

应用

CBR06C969BAGAC 广泛应用于需要高性能功率转换的领域:
  1. USB-PD 充电器:用于实现小型化、高效率的快充功能。
  2. 笔记本电脑适配器:提供高效的电源管理解决方案。
  3. 服务器电源模块:满足数据中心对高功率密度的需求。
  4. 消费类电子产品:如无线充电器、便携式电源等。
  5. 工业设备:例如 LED 驱动电源、太阳能微型逆变器等。
  这款芯片凭借其出色的性能,特别适合那些对效率、尺寸和成本敏感的应用场景。

替代型号

CBR06C967BAGAC, CBR06C969BAHAC

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CBR06C969BAGAC参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥1.73900卷带(TR)
  • 系列CBR-SMD RF C0G
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容9.6 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-