CBR06C969BAGAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片,专为高频率和高效率的应用场景设计。该芯片内置了增强型 GaN 场效应晶体管 (eGaN FET),具有极低的导通电阻和快速的开关性能,适用于高频 DC-DC 转换器、电源适配器以及各类消费电子产品的电源管理系统。
相比传统的硅基 MOSFET,CBR06C969BAGAC 提供了更高的功率密度和更小的体积,能够显著提升系统的整体效率。
额定电压:600V
连续漏极电流:9A
导通电阻:65mΩ
栅极电荷:12nC
输入电容:1800pF
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:LFPAK8
CBR06C969BAGAC 的主要特点是其卓越的电气性能和紧凑的设计:
1. 高击穿电压:高达 600V 的额定电压使其能够适应各种高压应用场景。
2. 极低导通电阻:仅为 65mΩ,大幅减少了导通损耗。
3. 快速开关速度:得益于 GaN 材料的优异性能,该器件具备非常低的栅极电荷和输出电荷,支持 MHz 级别的开关频率。
4. 小型化设计:采用 LFPAK8 封装,体积小巧,便于在紧凑型电路板上集成。
5. 高效散热能力:优化的封装结构提高了芯片的散热性能,从而增强了长期运行的可靠性。
6. 宽温工作范围:能够在 -40°C 至 +125°C 的环境下稳定运行,适合工业级和消费级应用。
CBR06C969BAGAC 广泛应用于需要高性能功率转换的领域:
1. USB-PD 充电器:用于实现小型化、高效率的快充功能。
2. 笔记本电脑适配器:提供高效的电源管理解决方案。
3. 服务器电源模块:满足数据中心对高功率密度的需求。
4. 消费类电子产品:如无线充电器、便携式电源等。
5. 工业设备:例如 LED 驱动电源、太阳能微型逆变器等。
这款芯片凭借其出色的性能,特别适合那些对效率、尺寸和成本敏感的应用场景。
CBR06C967BAGAC, CBR06C969BAHAC