时间：2025/7/3 12:04:57
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CBR06C969BAGAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片，专为高频率和高效率的应用场景设计。该芯片内置了增强型 GaN 场效应晶体管 (eGaN FET)，具有极低的导通电阻和快速的开关性能，适用于高频 DC-DC 转换器、电源适配器以及各类消费电子产品的电源管理系统。
相比传统的硅基 MOSFET，CBR06C969BAGAC 提供了更高的功率密度和更小的体积，能够显著提升系统的整体效率。
额定电压：600V
连续漏极电流：9A
导通电阻：65mΩ
栅极电荷：12nC
输入电容：1800pF
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：LFPAK8
CBR06C969BAGAC 的主要特点是其卓越的电气性能和紧凑的设计：
1. 高击穿电压：高达 600V 的额定电压使其能够适应各种高压应用场景。
2. 极低导通电阻：仅为 65mΩ，大幅减少了导通损耗。
3. 快速开关速度：得益于 GaN 材料的优异性能，该器件具备非常低的栅极电荷和输出电荷，支持 MHz 级别的开关频率。
4. 小型化设计：采用 LFPAK8 封装，体积小巧，便于在紧凑型电路板上集成。
5. 高效散热能力：优化的封装结构提高了芯片的散热性能，从而增强了长期运行的可靠性。
6. 宽温工作范围：能够在 -40°C 至 +125°C 的环境下稳定运行，适合工业级和消费级应用。
CBR06C969BAGAC 广泛应用于需要高性能功率转换的领域：
1. USB-PD 充电器：用于实现小型化、高效率的快充功能。
2. 笔记本电脑适配器：提供高效的电源管理解决方案。
3. 服务器电源模块：满足数据中心对高功率密度的需求。
4. 消费类电子产品：如无线充电器、便携式电源等。
5. 工业设备：例如 LED 驱动电源、太阳能微型逆变器等。
这款芯片凭借其出色的性能，特别适合那些对效率、尺寸和成本敏感的应用场景。
CBR06C967BAGAC, CBR06C969BAHAC
