时间：2025/7/10 10:00:49
阅读：14
DMN3051L-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用DFN3030-7封装形式，具有超小型尺寸和出色的电气性能，适用于空间受限的应用场景。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
这款MOSFET适合用在消费类电子产品、移动设备、便携式电源管理模块以及各种需要高效能切换的电路中。
型号：DMN3051L-7-F
封装：DFN3030-7
最大漏源电压(Vdss)：30V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：4.9A
导通电阻(Rds(on))：80mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
总功耗(Ptot)：0.6W
工作温度范围(Tj)：-55°C至+150°C
电容值(Ciss)：140pF（典型值）
开关时间：ton=15ns，toff=13ns（典型值）
DMN3051L-7-F采用了先进的制程技术制造，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保了高效率的能量转换，特别适合低电压应用环境。
2. 小型化的DFN3030-7封装使其非常适合于对空间有严格要求的设计。
3. 快速的开关速度减少了开关损耗，并提高了整体系统的响应能力。
4. 高度可靠的电气性能，能够在广泛的温度范围内保持稳定运行。
5. 内置静电放电(ESD)保护功能增强了器件的鲁棒性，减少了潜在的损坏风险。
DMN3051L-7-F广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品的电源管理单元，如智能手机、平板电脑等。
2. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流或负载开关。
3. LED驱动电路中的开关元件。
4. 数据通信设备及网络接口卡中的信号切换。
5. 各种电池供电装置中的电源控制与保护电路。
6. 电机驱动和音频放大器中的功率级组件。
DMN3051UF-7,
DMN3050L-7-F,
NTMFS5C706T1G
