DMN3030LSS-13-F 时间：2025/5/7 13:27:04 阅读：30

DMN3030LSS-13-F 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管（MOSFET）。它采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于电源管理、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件封装为 LFPAK56 (Power-SO8)，具备出色的散热性能和坚固耐用的特性。
　　该 MOSFET 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、电池保护电路、电子开关以及需要高效能和小尺寸解决方案的各种工业及消费类电子产品。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：19A
　　导通电阻：2.5mΩ
　　栅极阈值电压：1.4V
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃
　　总功耗：15W

特性

DMN3030LSS-13-F 的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 2.5mΩ，这使得它在高电流应用中能够显著减少功率损耗并提高效率。
　　此外，该器件支持非常低的栅极驱动电压（低至 1.4V），使其兼容各种现代低电压控制逻辑信号。同时，LFPAK56 封装设计不仅增强了热性能，还减少了寄生电感，从而提升了高频下的开关表现。
　　这款 MOSFET 还具有卓越的雪崩能力和 ESD 防护能力，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。总体而言，DMN3030LSS-13-F 提供了优异的电气性能与可靠性，是许多功率转换和负载切换应用的理想选择。

应用

DMN3030LSS-13-F 广泛应用于以下场景：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器
　　2. 电机驱动电路中的功率级开关
　　3. 工业自动化设备中的负载切换
　　4. 笔记本电脑和平板电脑中的电池管理
　　5. 便携式消费类电子产品中的直流-直流转换器
　　6. 电信系统中的电源模块
　　由于其高性能和小封装的优势，DMN3030LSS-13-F 成为众多设计工程师的首选元件。