时间：2025/8/1 14:40:35
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CS7N80 是一款常用的高电压、高电流能力的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动等电力电子设备中。该器件采用TO-220或TO-3P封装形式，具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：800V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：7A（连续）
功率耗散(Pd)：125W
导通电阻(Rds(on))：典型值1.1Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220、TO-3P等
CS7N80 MOSFET具备高耐压特性，漏源击穿电压高达800V，适合高压应用场合。其导通电阻较低，能够在高电流条件下保持较小的功率损耗，从而提高系统效率。该器件具备较强的过载和瞬态电流承受能力，增强了其在工业环境中的稳定性。
此外，CS7N80的栅极驱动电压范围较宽，兼容多种控制电路，例如PWM控制器和微处理器输出。其封装形式具备良好的散热能力，便于在高功率应用中进行热管理。由于其高可靠性和耐用性，CS7N80在电源转换、照明驱动、电机控制和充电器设计中被广泛采用。
CS7N80主要用于开关电源、AC-DC适配器、LED驱动电源、电机控制器、DC-DC转换器、电池充电器、逆变器以及各种工业自动化设备中的功率控制电路。该器件也适用于需要高电压隔离和高效率转换的场合，如家用电器和工业设备的电源模块。
7N80、7N80M、K7N80、K7N80R、FQP7N80、STP7NK80Z、IRF7N80、IRF840（电压/电流能力略有差异，需根据具体应用评估）
