时间：2025/8/2 7:03:37
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DMN3025LSS-13是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET，适用于低电压和中等功率应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，提供卓越的性能和可靠性，广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器和电池供电设备中。DMN3025LSS-13采用SOT26封装，尺寸小巧，非常适合空间受限的应用场景。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-5.1A（在VGS = -10V）
导通电阻（RDS(on)）：75mΩ（最大值，VGS = -10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：SOT26
DMN3025LSS-13采用了先进的Trench MOSFET技术，使其在低电压应用中表现出色。该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。其P沟道结构允许在负电压下工作，非常适合用于高边开关应用。DMN3025LSS-13的工作温度范围较宽，从-55°C到150°C，确保其在各种环境条件下都能稳定运行。SOT26封装不仅体积小巧，还具有良好的热性能，便于在紧凑的PCB布局中使用。该器件还具备较高的电流承受能力和良好的热稳定性，适合用于高可靠性要求的应用场景。
DMN3025LSS-13广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及各种便携式电子产品。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于需要高效能和低损耗的场合。例如，在电源管理电路中，该器件可以用作主开关或负载开关，以实现对负载的高效控制。在电池供电设备中，DMN3025LSS-13可用于延长电池寿命并提高整体系统效率。此外，该器件还可用于电机驱动、LED驱动和各种工业控制电路中。
Si4435DY, IRML2803, AO4406A
