SN74LVTH16374-EP 是一款高性能的双 8 位透明锁存器,采用高级低电压工艺制造。该器件具有高带宽和低功耗特性,适用于需要高速数据传输和信号缓冲的应用场景。它兼容多种逻辑电平,并提供增强型防护功能以满足航天、军工等对可靠性要求较高的领域的需求。
该芯片支持两个独立的 8 位输入端口,每个端口通过单独的锁存使能(LE)控制信号来实现数据捕获与存储功能。其引脚布局设计紧凑,适合多路复用或并行到串行转换等复杂电路结构。
型号:SN74LVTH16374-EP
工作电压范围:2.0V 至 3.6V
最大输出电流:24mA(源/汇)
传播延迟时间:5ns(典型值,@ VCC=3.3V)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装形式:TSSOP (PW) 封装
通道数量:双 8 位(共 16 位)
输入漏电流:±1μA(最大值,@ 25°C)
静态电流:4μA(最大值,@ VCC=3.3V, 所有输入悬空)
1. 高速性能:传播延迟极低,能够适应高达 200MHz 的时钟频率。
2. 双向数据流支持:可以分别控制两组独立的 8 位数据路径。
3. 低功耗设计:在睡眠模式下静态电流几乎为零,非常适合电池供电设备。
4. 宽工作电压范围:兼容多种主流逻辑电平标准(如 LVTTL 和 LVCMOS)。
5. 增强型抗辐射能力:经过特殊处理以应对极端环境下的单粒子效应问题。
6. 工业级耐温范围:确保在极端条件下仍能保持稳定运行状态。
1. 高速通信接口中的数据缓冲。
2. 多路复用器及解复用器的设计。
3. 并行到串行的数据转换。
4. 数字信号隔离与驱动放大。
5. 航天器、卫星以及军工设备中的关键逻辑单元。
6. 医疗仪器、工业自动化系统中的信号调理模块。
SN74LVTH16374AQWPG4,
SN74LVTH16374DBVR,
SN74LVTH16374DGKR