类型：P沟道
　　极性：耗尽型
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-1.8A
　　脉冲漏极电流（Idm）：-4.5A
　　导通电阻Rds(on)：35mΩ @ Vgs = -4.5V
　　导通电阻Rds(on)：45mΩ @ Vgs = -2.5V
　　阈值电压Vgs(th)：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容Ciss：290pF @ Vds = 10V
　　开关时间-开启时间(tof)：6ns
　　开关时间-关断时间(tr)：12ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-723 (SOT-563)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

DMN3018SFG-7采用了先进的TrenchFET工艺技术，这种结构显著降低了器件的导通电阻Rds(on)，从而减少了在导通状态下的功率损耗，提高了系统的能源利用效率。该MOSFET在-4.5V的栅极驱动电压下，典型Rds(on)仅为35mΩ，在-2.5V时为45mΩ，表现出优异的低压驱动能力，适用于电池供电设备中常见的低电压逻辑电平控制。其超低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使其具备快速的开关响应速度，有效降低开关过程中的动态损耗，特别适合高频开关电源和负载开关等应用。
　　该器件具有较宽的工作温度范围，从-55°C到+150°C，确保其在各种恶劣环境下仍能稳定运行。其热稳定性良好，结合SOT-723小型封装，能够在有限的PCB面积上实现高效的热管理。此外，DMN3018SFG-7具备良好的抗静电（ESD）保护能力，增强了器件在生产和使用过程中的可靠性。其P沟道特性使得在高端开关配置中无需额外的电荷泵电路即可实现负载的直接控制，简化了电源设计并降低了整体成本。
　　SOT-723封装尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 0.95mm，极大节省了印刷电路板的空间，是高度集成化和微型化电子产品中的理想选择。同时，该封装具有良好的焊接可靠性和机械强度，适用于自动化贴片生产流程。器件还通过了AEC-Q101等汽车级可靠性认证的部分测试项目，表明其在工业级和部分车载应用中也具备一定的适用性。总体而言，DMN3018SFG-7是一款高性能、小体积、低功耗的P沟道MOSFET，满足现代电子设备对小型化与高效率的双重需求。

DMN3018SFG-7主要用于便携式消费类电子产品中的电源开关和负载管理，例如智能手机和平板电脑中的LCD背光控制、摄像头模块电源切换以及音频放大器的启停控制。它也常被用作电池供电设备中的高端开关，实现对不同功能模块的独立供电与断电，以延长电池续航时间。在USB接口或充电端口的过流保护电路中，该器件可用于实现负载开关功能，防止短路或异常电流对主控芯片造成损害。
　　此外，该MOSFET适用于各类低电压DC-DC转换器中的同步整流或电源路径控制，尤其是在输入电压较低（如3.3V或5V系统）的情况下表现优异。在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，由于其超小型封装和低静态功耗特性，能够有效支持长时间待机和节能运行模式。工业传感器、物联网节点、无线通信模块等需要高效能电源管理的小型化系统也是其典型应用场景。
　　由于其具备良好的开关特性和稳定的电气参数，DMN3018SFG-7还可用于信号路由、电平转换电路以及逻辑驱动电路中，作为高速开关元件使用。在汽车电子领域，虽然其电压等级限制了高压应用，但在车载信息娱乐系统的低功耗子模块中仍有潜在用途。总之，凡是需要小型化、低导通电阻、低电压控制的P沟道MOSFET场合，DMN3018SFG-7都是一个极具竞争力的选择。

DMG2301U-7
　　FMMT718
　　ZXM61P02F