型号：DMN3016LK3-13
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：4.1A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：16.4A
　　导通电阻RDS(on)：33mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：500pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

DMN3016LK3-13的优异特性源于其先进的沟槽型MOSFET结构和精密的制造工艺，使其在低电压开关应用中表现出卓越的性能。首先，该器件具有非常低的导通电阻，在VGS=10V时仅为33mΩ，而在更常见的4.5V驱动条件下也能保持45mΩ的低水平，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　其次，该MOSFET具备良好的开关特性，输入电容Ciss典型值为500pF，在高频开关电路中可实现快速响应，减少开关延迟和能量损耗，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC转换器拓扑结构。其反向恢复时间trr为18ns，表明体二极管的恢复速度较快，有助于降低开关过程中的瞬态功耗和电磁干扰，提升系统稳定性。
　　再者，该器件的阈值电压范围为1V至2.5V，使其能够兼容3.3V或5V逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并降低成本。同时，最大漏源电压为30V，支持多种中低压应用场合，包括12V和24V系统中的负载切换与保护。
　　SOT-23封装不仅体积小巧（仅约2.9mm×2.4mm），而且具备良好的散热性能，配合适当的PCB铜箔设计可有效传导热量，确保长期可靠运行。此外，产品符合AEC-Q101车规级可靠性标准（部分批次），可用于汽车电子中的非动力总成系统，如LED照明、传感器模块和车载信息娱乐系统等。
　　最后，该器件具有高抗浪涌能力，脉冲漏极电流可达16.4A，能够在短时间内承受较大的电流冲击，适用于电机启动或容性负载上电等瞬态工况。综合来看，DMN3016LK3-13是一款兼具高性能、小尺寸和高可靠性的N沟道MOSFET，是现代紧凑型电子系统中的理想选择。

DMN3016LK3-13广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备，用于电池充放电控制、负载开关以及多电源路径管理。
　　在DC-DC转换器电路中，该器件常被用作同步整流开关或高端/低端开关元件，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）和升降压（Buck-Boost）拓扑中，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率并减少发热。
　　此外，它也适用于电机驱动应用，如微型直流电机、振动马达和步进电机的控制，可在手持工具、玩具和家用电器中实现精确的启停和调速功能。由于其具备较高的脉冲电流承受能力，能够应对电机启动瞬间的大电流冲击。
　　在工业和汽车电子领域，该MOSFET可用于传感器供电控制、LED驱动电路、继电器或电磁阀的驱动接口，以及各种信号切换和隔离电路。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）确保在极端环境下依然稳定运行，满足严苛的应用需求。
　　其他应用场景还包括热插拔控制器、USB端口电源开关、LDO旁路开关、音频放大器中的静音控制以及各种模拟开关电路。总之，凡是需要一个小型、高效、可靠的N沟道MOSFET来实现低电压功率控制的地方，DMN3016LK3-13都是一个极具竞争力的选择。

DMG3016LSS-13
　　FDMN3016UC
　　SI2301DDS