时间：2025/7/2 16:16:20
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DMN3010LK3-13-UDU 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用超小型 U-DPAK 封装，适用于高效率、低功耗的应用场景。
这款 MOSFET 在开关电源、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等应用中表现出色。其优异的导通电阻和快速开关特性使其成为高性能电路设计的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：9nC
总热阻（结到环境）：125°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
DMN3010LK3-13-UDU 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，能够支持高频应用。
3. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
4. 提供出色的可靠性和耐用性，能够在宽温范围内稳定工作。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计需求。
6. 内置反向二极管，优化续流路径以减少能量损失。
DMN3010LK3-13-UDU 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 各类负载开关应用。
4. 电池管理系统中的保护开关。
5. 电机驱动和控制电路。
6. 便携式电子设备中的高效电源管理方案。
DMN3020LKE-13, DMN2990SFG-13
