时间：2025/5/8 14:38:03
阅读：10
DMN3007LSS是一款由Diodes公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用DFN1610-6封装，具有小尺寸、低导通电阻和高开关速度的特点。它适用于各种需要高效能功率管理的应用场景，例如负载开关、电源管理模块、电机驱动等。这款MOSFET能够在较低的电压下提供高效的导通性能，并支持高频开关操作。
型号：DMN3007LSS
类型：N沟道MOSFET
封装：DFN1610-6 (1.6mm x 1.0mm)
最大漏源极电压(VDS)：20V
最大栅源极电压(VGS)：±8V
最大漏极电流(ID)：1.5A (脉冲)
连续漏极电流(ID)：0.92A
导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS=4.5V
栅极电荷(Qg)：3nC
工作温度范围：-55°C to +150°C
DMN3007LSS具备超低的导通电阻和紧凑的封装形式，适合空间受限的设计。
1. 小型DFN1610-6封装，节省PCB空间。
2. 高效的导通性能，RDS(on)低至45mΩ，减少功耗。
3. 支持高频开关应用，栅极电荷较小。
4. 良好的热稳定性，能够适应宽泛的工作温度范围。
5. 提供优异的ESD保护能力，增强可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
DMN3007LSS广泛应用于便携式电子设备和其他对效率和小型化有要求的领域：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. USB端口保护和电源路径管理。
3. 消费类电子产品的电源管理模块。
4. 低功耗电机控制与驱动。
5. 固态硬盘（SSD）和存储卡的电源切换。
6. 各种电池供电设备中的高效开关解决方案。
DMN3007USM, DMN2990LSS
