时间：2025/5/10 10:54:43
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DMN2991UTQ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用微型 UTQFN-3L 封装。该器件主要应用于便携式设备和空间受限的应用场景中，因其出色的导通电阻和小型化设计而备受青睐。DMN2991UTQ 的低导通电阻特性能够有效降低功耗并提升效率，适用于各种低压开关应用。
DMN2991UTQ 的工作电压范围为 -0.3V 至 30V（最大值），其典型应用场景包括负载开关、DC-DC 转换器、电池保护电路以及信号切换等。得益于其超小尺寸和高能效表现，这款 MOSFET 成为现代电子设计中的理想选择。
最大漏源极电压：30V
最大栅源极电压：±8V
连续漏极电流：2.1A
导通电阻（Rds(on)）：5.7mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
总功耗：360mW
封装类型：UTQFN-3L
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMN2991UTQ 的关键特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 微型 UTQFN-3L 封装，节省 PCB 空间，非常适合便携式设备和其他对尺寸敏感的设计。
3. 较高的漏极电流能力（高达 2.1A），支持多种功率级别的应用需求。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），确保在极端环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
6. 高度集成的单芯片设计，简化了电路布局与组装流程。
这些特性使 DMN2991UTQ 成为需要高效能和小型化的应用场合的理想解决方案。
DMN2991UTQ 广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的负载开关控制。
2. 移动设备及可穿戴设备的电源管理模块。
3. 便携式电池供电设备的电池保护电路。
4. DC-DC 转换器中的开关元件。
5. 信号切换与隔离电路。
6. LED 驱动和背光调节。
由于其低导通电阻和小型封装，DMN2991UTQ 在需要高效率和紧凑设计的应用中表现出色。
DMN2990UTQ
DMN2989UTQ
BSH103
