时间：2025/4/29 16:10:31
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DMN2710UFBQ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用超小型 DFN3030-8 封装，适合空间受限的应用场景。DMN2710UFBQ 的导通电阻低，具有出色的开关性能和高效率，适用于便携式设备、消费电子以及工业控制等领域的电源管理电路。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽，支持低至 1.8V 的逻辑电平直接驱动，非常适合电池供电的系统。此外，它还具备较高的浪涌能力以及良好的热稳定性，确保在各种工作条件下的可靠运行。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.4A
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=4.5V：65mΩ
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=2.5V：90mΩ
栅极电荷：1.7nC
输入电容：115pF
总功耗：450mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 超低导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 支持低至 1.8V 的栅极驱动电压，简化了与低电压逻辑电路的接口设计。
3. 小型 DFN3030-8 封装节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
4. 高浪涌能力，增强了器件的鲁棒性。
5. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 电池供电设备中的 DC-DC 转换器。
3. USB 充电器和适配器中的同步整流。
4. 消费类电子产品的电源管理模块。
5. 工业控制和自动化系统中的信号切换。
6. LED 驱动电路中的功率开关。
DMN2990UFG, DMN2796SFQ, BSS138
