时间：2025/7/28 8:30:03
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VRD3030PTX 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道功率 MOSFET，常用于高电流和高效率电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），以减少导通损耗并提高能效。该封装形式为 PowerPAK SO-8，具有较高的热性能和紧凑的尺寸，适合在空间受限的设计中使用。
类型：MOSFET（N 沟道）
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大连续漏极电流（Id）：17A
导通电阻 Rds(on)：8.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷 Qg：22nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
VRD3030PTX 的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保了优异的导通性能和开关性能。此外，其 PowerPAK SO-8 封装具有优良的热管理能力，有助于在高功率密度设计中实现良好的散热效果，从而提升器件的可靠性和使用寿命。
该 MOSFET 还具有良好的栅极稳定性，支持快速开关操作，减少了开关损耗，并能够在高频工作条件下保持良好的性能。其较低的输入电容和栅极电荷也有助于提高开关速度，从而在 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等高频应用中表现出色。
VRD3030PTX 还具备较强的耐用性和稳定性，能够在各种苛刻的电气和环境条件下稳定运行。由于其卓越的电气特性和紧凑的封装设计，该器件广泛应用于笔记本电脑、服务器、电源管理系统和电池供电设备等现代电子系统中。
VRD3030PTX 主要用于需要高电流能力和高效率的电源管理系统。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）等。它也广泛应用于服务器、笔记本电脑和工业控制设备中的电源模块设计。此外，该器件还可用于高功率密度的开关电源（SMPS）和便携式电子设备的电源管理电路。
SiR344DP-T1-GE3, FDS6680, SiR178DP, NexFET CSD17308Q5B
