时间：2025/4/29 12:26:17
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DMN2710UDW是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用微型DFN3030-8封装，适用于空间受限的应用场景。DMN2710UDW具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，使其成为消费电子、通信设备以及工业应用中的理想选择。
该MOSFET特别适合于负载开关、DC-DC转换器、电池管理电路以及其他需要高效能和小尺寸解决方案的场合。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：3.4A
导通电阻(Rds(on))：50mΩ（在Vgs=4.5V时）
输入电容(Ciss)：190pF
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：DFN3030-8
DMN2710UDW具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可减少功耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频操作。
3. 小型化DFN3030-8封装，节省PCB空间。
4. 静电放电（ESD）保护能力增强，提高了器件的可靠性。
5. 支持大电流操作，适用于多种功率转换场景。
6. 广泛的工作温度范围，确保在严苛环境下的稳定性。
DMN2710UDW适用于以下应用场景：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 便携式设备的电池充电及管理系统。
3. 各类DC-DC转换器和电源模块。
4. LED驱动电路。
5. 消费类电子产品中的信号切换。
6. 工业控制设备中的功率管理模块。
7. 数据通信设备中的高效能转换电路。
DMN2710S-13,
DMN2710UFH,
DMN2710UFG
