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CGH21240F 发布时间 时间:2025/9/11 7:58:27 查看 阅读:30

CGH21240F是一款由Cree(现为Wolfspeed)制造的高功率射频横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,专为高性能射频功率放大器应用而设计。该器件采用了先进的LDMOS技术,具有高增益、高效率和出色的热稳定性,适用于从2000 MHz到2700 MHz的高频工作范围。CGH21240F常用于无线基础设施、基站放大器、工业加热设备以及医疗射频设备等领域。

参数

工作频率范围:2000 MHz至2700 MHz
  输出功率:典型值为240 W CW(连续波)
  增益:22 dB(典型值)
  效率:65%(典型值)
  漏极电压:最大50 V
  栅极阈值电压:2 V至4 V
  工作温度范围:-65°C至+150°C
  封装类型:气腔陶瓷封装
  输入驻波比(VSWR):2.5:1最大
  热阻(结到壳):0.35°C/W

特性

CGH21240F的LDMOS结构提供了出色的线性度和宽带性能,使其非常适合用于多载波通信系统中的高功率放大器。该器件在高频段表现出色,能够在2 GHz以上的频率下保持高增益和高效率。此外,CGH21240F具有优异的热管理和可靠性设计,其低热阻确保了在高功率操作下的稳定性和长寿命。
  该晶体管还具有良好的输入匹配特性,减少了对外部匹配元件的依赖,从而简化了电路设计并提高了整体系统的可靠性。CGH21240F的坚固设计使其能够承受一定程度的失配条件,增强了其在苛刻环境中的适用性。
  该器件采用了气腔陶瓷封装技术,提供了良好的散热性能和机械稳定性,适用于高功率密度和高温工作环境。这种封装方式也有助于降低寄生电容,提高高频性能。

应用

CGH21240F广泛应用于无线通信基础设施,如4G LTE基站、微波通信系统和多载波功率放大器模块。它也适用于工业和医疗射频设备,如射频加热系统、等离子体发生器和磁共振成像(MRI)设备中的射频功率放大器部分。此外,该晶体管还可用于测试和测量设备、广播发射器以及需要高功率、高效率射频放大的场合。

替代型号

CGH21240F的替代型号包括CGH21250F、CGH21300F以及NXP的LDMOS晶体管如BLF881A等。

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CGH21240F参数

  • 现有数量10现货
  • 价格1 : ¥4,839.19000托盘
  • 系列GaN
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 技术HEMT
  • 配置-
  • 频率1.8GHz ~ 2.3GHz
  • 增益15dB
  • 电压 - 测试28 V
  • 额定电流(安培)-
  • 噪声系数-
  • 电流 - 测试1 A
  • 功率 - 输出240W
  • 电压 - 额定84 V
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳440117
  • 供应商器件封装440117