时间：2025/4/25 18:05:24
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DMN26D0UT 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用 SOT-23 封装形式，广泛应用于需要高效开关和低功耗的场合。
这种 MOSFET 以其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度而著称，非常适合用于负载开关、DC/DC 转换器、电源管理模块以及便携式电子设备中。
最大漏源电压：30V
最大栅极驱动电压：12V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
总功耗：400mW
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMN26D0UT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在不同栅极驱动电压下表现出色，能够有效降低功率损耗。
2. 快速开关能力，适用于高频应用场合。
3. 采用紧凑的 SOT-23 封装，节省 PCB 空间，适合小型化设计。
4. 高雪崩耐量能力，提高了器件的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
DMN26D0UT 广泛应用于以下领域：
1. 手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理。
2. DC/DC 转换器和降压/升压电路。
3. 各种负载开关应用，如 USB 端口保护。
4. 电池供电系统中的开关控制。
5. 信号切换和小型电机驱动等场景。
DMN26D0UJ, DMN26D0TQ
