时间：2025/12/26 3:51:14
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DMN26D0UDJ-7是一款由Diodes Incorporated生产的高性能P沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、低功耗应用而设计，适用于电池供电设备、便携式电子产品以及需要紧凑封装和优异热性能的电源管理电路。其小型化的SOT-363（SC-88）封装使其非常适合空间受限的应用场景。该MOSFET具有低导通电阻、良好的开关特性以及较高的可靠性，广泛应用于负载开关、电源路径控制、DC-DC转换器和电机驱动等场合。由于采用了成熟的硅工艺和严格的品质管控，DMN26D0UDJ-7在工业级温度范围内表现出稳定的电气性能，适合在严苛环境中长期运行。
该器件的工作电压范围覆盖了常见的低压系统需求，栅极耐压能力强，支持逻辑电平驱动，便于与微控制器或其他数字信号源直接接口。此外，其低漏电流和快速响应能力有助于提升系统的整体能效。作为一款表面贴装型元器件，DMN26D0UDJ-7兼容自动化贴片生产工艺，有利于提高生产效率并降低制造成本。总体而言，这款P沟道MOSFET是现代低功耗电子系统中理想的功率开关选择之一。
类型：P沟道
最大漏源电压（Vds）：-20V
最大连续漏极电流（Id）：-500mA
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs = -4.5V：120mΩ
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs = -2.5V：180mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：-0.8V ~ -1.5V
输入电容（Ciss）：70pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装/包装：SOT-363（SC-88）
极性：P沟道
功率耗散（Pd）：300mW
DMN26D0UDJ-7采用先进的TrenchFET沟槽技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它能够延长电池续航时间。其在-4.5V栅极驱动下可实现低至120mΩ的Rds(on)，而在更低的-2.5V驱动条件下仍能保持180mΩ的低阻值，说明该器件具备良好的逻辑电平兼容性，可直接由3.3V或2.5V的微处理器I/O口驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。
该器件的小型SOT-363封装集成了两个独立的P沟道MOSFET，实现了双通道配置，适用于需要双路控制或冗余设计的应用场景。尽管尺寸微小，但其热性能经过优化，在PCB布局合理的情况下仍能有效散热，满足一般功率切换的需求。此外，输入电容仅为70pF左右，意味着其开关速度较快，动态响应能力强，适合用于高频开关操作，如同步整流或脉宽调制（PWM）控制。
DMN26D0UDJ-7具有较宽的结温工作范围（最高可达+150°C），确保在高温环境下仍能稳定运行。同时，其栅极氧化层经过强化处理，具备一定的静电放电（ESD）防护能力，提高了器件在实际装配和使用过程中的鲁棒性。低阈值电压特性使得器件能够在较低的控制信号幅度下可靠导通，进一步增强了其在低电压系统中的适用性。综合来看，该MOSFET在性能、尺寸与可靠性之间取得了良好平衡，是现代微型化电子设备中理想的功率开关解决方案。
DMN26D0UDJ-7广泛应用于各类便携式消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表等，常用于电源管理模块中的负载开关或电源路径切换功能，实现对不同子系统的上电时序控制与节能管理。在电池供电系统中，它可用于防止反向电流流动，保护主电源免受外部电压影响，提升系统安全性。此外，该器件也常见于笔记本电脑或嵌入式设备的I/O端口保护电路中，作为过流或热插拔保护的一部分。
在工业控制领域，DMN26D0UDJ-7可用于小型继电器驱动、传感器电源控制、LED背光调光电路以及低功率DC-DC转换器中的同步整流环节。其双MOSFET结构特别适合构建H桥驱动电路以控制微型直流电机的方向，广泛应用于微型机器人、自动门锁、摄像头云台等小型机电一体化设备中。由于其支持表面贴装工艺且体积小巧，因此非常适合高密度PCB布局的设计需求。
在通信模块中，该器件可用于RF前端电源的开关控制，帮助实现射频模块的休眠与唤醒，从而降低待机功耗。此外，在医疗电子设备如血糖仪、体温计、助听器等产品中，该MOSFET也被用来管理各个功能模块的供电状态，以最大限度地延长电池寿命。总之，凡是需要高效、小型化、低功耗P沟道开关的应用场合，DMN26D0UDJ-7都是一个极具竞争力的选择。
DMG26D0UDJ-7, DMG26D6AVC-7, BSS84LT1G
